DMT10H072LFDF-7

DMT10H072LFDF-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）表面贴装封装，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。其设计优化了沟道电阻与栅极电荷之间的平衡，在保证快速开关性能的同时，有效降低了导通损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达100V，为设计提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为4A，能够处理中等功率级别的负载。其导通电阻(Rds(on))是关键性能指标，在10V栅源驱动电压(Vgs)和4.5A漏极电流条件下，最大值仅为62毫欧，这意味着在导通状态下产生的功耗极低，有助于减少发热并提升效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了驱动电路设计。

在接口与电气参数方面，DMT10H072LFDF-7的栅极电荷(Qg)在10V Vgs下最大值仅为5.1nC，较低的栅极电荷直接转化为更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于高频开关应用。其输入电容(Ciss)在50V Vds下最大值为266pF，进一步印证了其优秀的动态响应能力。器件的栅源电压耐受范围(Vgs)为±20V，提供了较强的栅极保护能力。其最大功耗为800mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过DIODES授权代理获取正品器件和技术支持。

基于其100V耐压、4A电流能力、低导通电阻和快速开关特性，DMT10H072LFDF-7非常适合多种应用场景。它常被用于DC-DC转换器中的同步整流或主开关管，能够有效提升电源模块的转换效率。在电机驱动控制中，例如风扇、泵或小型机器人关节的H桥电路，该器件是理想的功率开关选择。此外，在负载开关、电池保护电路以及低压大电流的功率管理模块中，其优异的性能也能得到充分发挥，帮助设计工程师构建更紧凑、更高效、更可靠的电子系统。

• 型号:DMT10H072LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:266 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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