DMT12H065LFDF-7

DMT12H065LFDF-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的6引脚U-DFN2020-6（F类）封装中。该器件设计用于在低栅极驱动电压下实现高效率的功率开关，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，旨在降低开关损耗和导通损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET具备115V的漏源击穿电压（Vdss）和4.3A的连续漏极电流（Id）能力，为中等功率应用提供了可靠的电压和电流裕量。其关键特性在于优异的导通性能，在10V栅源电压（Vgs）和3A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至65毫欧，这直接有助于减少导通状态下的功率损耗和发热。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，且驱动电压范围宽（最大Rds(on)对应3V，最小对应10V），使其既能兼容低电压逻辑电平（如3.3V）进行驱动，也能在更高驱动电压下获得更优的导通特性。

在动态开关特性方面，DIODES授权代理提供的技术资料显示，该器件在10V Vgs下的总栅极电荷（Qg）最大值仅为5.5nC，结合最大252pF的输入电容（Ciss），意味着其所需的驱动能量较低，有助于简化栅极驱动电路设计并进一步提升高频开关效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，采用表面贴装形式，适合自动化回流焊工艺，确保了在严苛环境下的稳定性和生产便利性。

综合其电气参数与封装特性，DMT12H065LFDF-7非常适用于需要高效功率转换和紧凑布局的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类电源管理单元。其平衡的性能参数使其成为对效率、尺寸和成本均有要求的12V至48V总线系统中开关元件的理想选择。

• 型号:DMT12H065LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:115 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:252 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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