DMT15H053SSS-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT15H053SSS-13采用了先进的平面MOSFET技术，其核心架构旨在实现高效率与低损耗的平衡。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在确保高耐压能力的同时，有效降低了导通电阻和栅极电荷，从而提升了整体开关性能。

在功能特性上，该MOSFET展现出卓越的电气性能。其漏源击穿电压(Vdss)高达150V，为开关电源和电机控制等应用提供了充足的电压裕量。导通电阻(Rds(on))是关键指标，在10V栅极驱动电压和4.1A漏极电流条件下，其最大值仅为53毫欧，这意味着在导通状态下能显著降低功率损耗，提升系统效率。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为11.5nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更快。

在接口与参数方面，该器件提供了灵活的驱动和散热选项。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V，而阈值电压(Vgs(th))最大为4V，确保了良好的噪声抑制能力和可靠的导通控制。器件提供两种电流规格：在环境温度(Ta)下连续漏极电流(Id)为5.2A，而在管壳温度(Tc)下可达15A，这为不同散热条件下的应用设计提供了参考。其采用标准的8引脚SO封装，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。结温工作范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。如需获取样品或进行批量采购，可以联系官方授权的DIODES代理商。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，DMT15H053SSS-13非常适合应用于需要高效能功率转换的领域。典型应用场景包括AC-DC开关电源的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器中的功率开关、电机驱动控制电路以及各类需要中压功率开关的工业设备和消费电子产品中，是实现高功率密度和高效能系统设计的可靠选择。

• 型号:DMT15H053SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta），15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:53 毫欧 @ 4.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:814 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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