DMT2004UFDF-13

DMT2004UFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，封装于紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装中。该器件专为在严苛环境下要求高可靠性和高效率的应用而设计，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷之间的最佳平衡，从而显著降低开关损耗和导通损耗，提升系统整体能效。

该MOSFET具备出色的电气特性，其漏源电压（Vdss）额定值为24V，在25°C环境温度下可支持高达14.1A的连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和9A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为6毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的功率密度。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值低至1.45V，配合最大53.7nC的栅极电荷（Qg @ 10V），确保了器件能够被快速、高效地驱动，特别适合高频开关应用，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在接口与参数方面，器件支持高达±12V的栅源电压，提供了充足的驱动安全裕量。其输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为1683pF，结合低Qg特性，共同优化了开关动态性能。该器件提供两种功率耗散规格：在环境温度（Ta）下为800mW，在管壳温度（Tc）下可达12.5W，为热设计提供了灵活性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）以及符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，使其能够稳定应对工业与汽车电子中的温度波动和振动冲击。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

得益于其高性能与高可靠性，DMT2004UFDF-13非常适合应用于空间受限且对效率要求苛刻的场合。典型应用包括汽车系统中的负载开关、电机驱动（如风扇、泵控）、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关，以及各类便携式设备、服务器和通信基础设施中的电源管理模块。其表面贴装型封装便于自动化生产，是实现高功率密度、高效率电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMT2004UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta），12.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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