DMT2004UFDF-7

DMT2004UFDF-7是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的U-DFN2020-6（F类）封装。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构旨在实现高电流处理能力与低导通损耗的平衡。其24V的漏源电压（Vdss）额定值使其非常适合低压、高电流的开关应用，而优化的芯片设计和封装工艺确保了在紧凑尺寸下的高效热管理。

该MOSFET的关键性能体现在其极低的导通电阻上，在10V栅源驱动电压和9A漏极电流条件下，其Rds(On)最大值仅为6毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在53.7nC @ 10V，结合1.45V @ 250A的较低栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动功率需求，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行，通过DIODES授权代理可以获得完整的技术支持和供应链保障。

在接口与参数方面，器件在25°C环境温度下可支持高达14.1A的连续漏极电流，最大栅源电压为±12V。其输入电容（Ciss）在15V漏源电压下最大值为1683pF，这些参数共同定义了其动态开关特性。表面贴装的U-DFN2020-6封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也顺应了现代电子设备小型化的趋势。器件的功率耗散能力在环境温度下为800mW，而在管壳温度下可达到12.5W，这为热设计提供了灵活性。

凭借其高电流能力、低导通电阻、快速开关特性以及符合汽车级标准的可靠性，DMT2004UFDF-7主要面向需要高效电源管理和负载开关的汽车电子与工业应用场景。典型应用包括电动座椅调节、车窗升降、LED照明驱动、电机控制模块以及DC-DC转换器中的同步整流或负载开关。其稳健的性能使其成为在空间受限且对效率和可靠性有高要求的24V或更低电压总线系统中进行功率分配的优选解决方案。

• 型号:DMT2004UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta），12.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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