DMT20H175LBG-7技术参数详情：
DMT20H175LBG-7是DIODES公司热门的产品型号之一，DIODES代理商提供专业及时的DMT20H175LBG-7图片、参数及技术文档下载，为您采购DIODES芯片DMT20H175LBG-7提供全方位的服务。
- 型号:DMT20H175LBG-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:W-DFN3333-8 (Type UXC)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET BVDSS: 101V~250V V-DFN333
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A (Ta), 12A (Tc)
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175mOhm @ 4A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1757 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.45W (Ta), 62.5W (Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:W-DFN3333-8 (Type UXC)
- 封装/外壳:8-PowerWDFN
- 现在可以订购DMT20H175LBG-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
