DMT3004LFG-13

DMT3004LFG-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，专为在严苛环境下要求高可靠性和高效率的功率开关应用而设计。其核心架构优化了沟道设计和单元密度，旨在实现极低的导通损耗和快速的开关性能，这对于提升系统整体能效和功率密度至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的低导通电阻与高电流处理能力的平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至4.5毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，它支持高达10.4A（环境温度Ta）或25A（壳温Tc）的连续漏极电流，并具备30V的漏源击穿电压（Vdss），为12V或24V总线系统的应用提供了充足的电压裕量。其栅极电荷（Qg）最大值仅为44nC @ 10V，结合较低的输入电容，有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，DMT3004LFG-13的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与标准逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性。其栅源电压（Vgs）范围支持+20V至-16V，提供了稳定的驱动安全窗口。器件最大功耗在环境温度下为2.1W，在壳温下可达42W，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）以及符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，确保了其在高温、高振动等恶劣环境下的长期可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品的详细资料、样品及采购服务。

凭借其高性能和可靠性，该器件非常适合应用于汽车电子领域，如电机驱动（车窗、雨刷、风扇）、LED照明驱动、负载开关及DC-DC转换器中的同步整流或主开关。此外，在工业控制、电源管理和便携式设备的功率管理模块中，它也是实现高效、紧凑设计的理想选择。其表面贴装形式便于自动化生产，有助于降低系统组装成本。

• 型号:DMT3004LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A（Ta），25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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