DMT3004LPS-13

DMT3004LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，其设计旨在为现代高密度、高效率的电源转换和电机驱动应用提供卓越的性能。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气与热性能平衡，尤其适合空间受限的便携式设备和分布式电源架构。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，Rds(on)典型值仅为3.8毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体效率。同时，其栅极电荷Qg最大值仅为43.7nC，结合适中的输入电容，确保了快速的开关切换能力，有助于降低开关损耗并支持更高频率的PWM操作。对于需要高可靠性的采购渠道，用户可以通过DIODES一级代理获取原装正品和技术支持。

在电气规格方面，DMT3004LPS-13的漏源击穿电压(Vdss)为30V，连续漏极电流在环境温度下额定为21A，在管壳温度下则可高达140A，展现出强大的电流处理能力。其栅源电压(Vgs)工作范围宽至+20V/-16V，而阈值电压Vgs(th)最大值为3V，确保了与主流低压逻辑电平及驱动IC的良好兼容性。器件采用表面贴装形式，最大功耗在管壳温度下可达113W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其高效率、高功率密度和出色的热性能，这款MOSFET非常适合应用于同步整流、DC-DC转换器（尤其是负载点降压转换器）、电机驱动控制以及电池保护电路等场景。在服务器、通信设备、笔记本电脑的电源模块，或是电动工具、无人机等产品的电机驱动板中，它都能作为关键开关元件，有效优化系统能效与体积。

• 型号:DMT3004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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