DMT3006LFV-13

Diodes Incorporated推出的DMT3006LFV-13是一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术构建，采用优化的单元结构，有效降低了单位面积的导通电阻。其PowerDI3333-8封装在紧凑的占板面积内提供了卓越的热性能和功率处理能力，表面贴装设计便于自动化生产并满足现代电子设备对空间的要求。

在电气性能方面，该器件展现出显著的优势。其漏源击穿电压(Vdss)为30V，适用于常见的12V及24V总线系统。最突出的特性之一是其极低的导通电阻，在10V驱动电压(Vgs)和9A漏极电流(Id)条件下，Rds(on)最大值仅为7毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其连续漏极电流(Id)在壳温(Tc)条件下可达60A，具备出色的电流承载能力。栅极电荷(Qg)最大值控制在8.4nC @ 10V，结合3V @ 250A的阈值电压(Vgs(th))，意味着开关速度快且驱动简单，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路设计。

该MOSFET的接口与参数设计充分考虑了实际应用的鲁棒性。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V，提供了宽裕的安全裕度。输入电容(Ciss)在15V Vds下最大值为1155pF，与其他参数共同决定了器件的动态特性。器件工作结温(TJ)范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性，最大功率耗散为2W (Ta)。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高性能组合，DMT3006LFV-13非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）以及电机驱动控制等应用的理想选择。在服务器电源、通信设备、工业自动化以及消费类电子产品的电源管理模块中，该器件能够有效提升功率转换效率，减少热量产生，并有助于实现更小巧、更可靠的终端产品设计。

• 型号:DMT3006LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1155 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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