DMT3006LPB-13

DMT3006LPB-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI506封装的双N沟道MOSFET阵列。其核心架构基于优化的沟槽工艺技术，将两个性能一致的N沟道MOSFET集成于一个紧凑的8引脚封装内，实现了高功率密度与卓越的散热性能。这种双通道设计不仅节省了宝贵的PCB空间，还简化了需要对称或互补驱动的电路布局，为高效率电源管理和电机控制方案提供了理想的半导体基础。

该器件在电气性能上表现突出，其漏源击穿电压（BVDSS）额定为25V至30V，能够可靠地工作在常见的12V或24V总线系统中。其导通电阻（RDS(on)）极低，在10V栅极驱动电压下，典型值可低至6mΩ @ 20A，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。出色的电流处理能力是其另一大亮点，在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）可达11A，而在封装壳温（Tc）条件下更能支持高达35A的电流，使其能够从容应对高负载或脉冲电流场景。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）控制信号的兼容性，便于驱动电路设计。

在接口与参数方面，该芯片采用表面贴装型（SMT）的8-PowerTDFN封装，其紧凑的占板面积和优化的引脚排布有助于减少寄生电感。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛工业环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品、样片及详细的设计资源。

基于其高电流、低导通电阻和双通道集成的特性，DMT3006LPB-13非常适合应用于对效率和空间有苛刻要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流与负载开关、电动工具及无人机中的电机驱动H桥电路、笔记本电脑和分布式电源系统的DC-DC转换器，以及各类需要高效功率切换的消费电子和工业控制模块。其稳健的设计使其成为构建下一代高能效、高可靠性电源解决方案的关键元件。

• 型号:DMT3006LPB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（S 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），35A（Tc），14A（Ta），50A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.1mOhm @ 11.5A，10V，6mOhm @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（S 类）
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