DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13是一款由Diodes Incorporated推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件专为在严苛的汽车电子环境中实现高效率、高可靠性的功率开关应用而设计，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在提供低导通损耗的同时，确保了快速的开关性能，这对于提升系统整体效率、降低热耗散至关重要。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了充足的电压裕量，适用于多种低压电源转换场景。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压(Vgs)和20A漏极电流(Id)条件下，典型值低至6毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的功率密度。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为22.6nC，结合1320pF的输入电容(Ciss)，意味着所需的驱动能量更小，有助于简化驱动电路设计并进一步提升开关频率，减少开关过程中的能量损失。

在电气参数方面，DIODES芯片代理提供的这款器件在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)额定值为16A，而在管壳温度(Tc)条件下可高达65A，展现了其强大的电流处理能力。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，与标准的逻辑电平驱动兼容，而栅源电压(Vgs)可承受±20V，增强了抗干扰能力。该器件符合AEC-Q101汽车级认证标准，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在汽车应用中的长期稳定性和可靠性，其最大功率耗散在Tc条件下可达42W。

凭借其优异的性能组合，DMT3006LPS-13非常适合于需要高效率、高可靠性的汽车电子系统，例如电机驱动控制（如风扇、泵、车窗升降）、LED照明驱动、DC-DC转换器中的同步整流或负载开关，以及电池管理系统的保护开关等。其PowerDI5060-8封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，非常适合空间受限且散热要求高的现代汽车电子模块设计。

• 型号:DMT3006LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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