DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能。其核心设计旨在优化功率转换效率与热管理，通过降低导通电阻和栅极电荷，显著减少了开关损耗和传导损耗，为高密度电源设计提供了理想的解决方案。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至10毫欧（在9A条件下测试），这确保了在大电流通过时产生的热量极低。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为14nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着它能够实现快速、高效的开关切换，这对于高频开关电源（SMPS）、直流-直流（DC-DC）转换器和电机驱动控制等应用至关重要。其30V的漏源击穿电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）能力，使其在低压、大电流的应用环境中表现出色。

在接口与参数方面，DMT3008LFDF-13支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，并且栅源电压（Vgs）可承受高达±20V，这增强了其在实际电路设计中的鲁棒性和兼容性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了器件在严苛环境下的可靠运行。表面贴装型封装不仅便于自动化生产，也优化了散热路径。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品、设计资料及供应链服务。

得益于其高性能与小型化特点，该器件非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。主要应用包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的负载开关与电源管理模块；服务器和通信设备的POL（负载点）转换器；无人机、机器人及便携式工具中的电机驱动与电池保护电路；以及各类消费电子产品的同步整流和功率分配单元。其平衡的性能参数使其成为现代高效能电子系统中功率开关部分的优选元件。

• 型号:DMT3008LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:886 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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