DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，专为表面贴装（SMT）工艺设计，适用于高密度PCB布局。其核心架构旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与高电流处理能力的平衡，通过优化的芯片设计和封装工艺，有效降低了功率损耗和热阻，提升了整体能效和可靠性。

在电气性能方面，该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），可在25°C环境温度下连续通过高达12A的漏极电流（Id）。其关键特性在于优异的开关性能，在10V栅源驱动电压（Vgs）和9A漏极电流条件下，导通电阻典型值低至10毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC @ 10V，结合886pF @ 15V的输入电容（Ciss），确保了快速的开关切换速度和较低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。

该MOSFET的驱动门槛电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围电路设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C（TJ），并能在高达800mW（Ta）的功率耗散下稳定运行，展现了出色的环境适应性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其性能参数，DMT3008LFDF-7主要面向需要高效率、小尺寸和快速响应的电源管理及功率开关场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制、电池保护电路、便携式设备的电源分配以及各类低电压、大电流的开关电源模块。其紧凑的6UDFN封装和优异的电气特性，使其成为空间受限且对能效有严苛要求的现代电子系统的理想选择。

• 型号:DMT3008LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:886 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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