DMT31M4LFVW-7技术参数详情：
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- 型号:DMT31M4LFVW-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A (Ta), 120A (Tc)
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2955 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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