DMT31M7LPS-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT31M7LPS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能。该器件基于优化的沟槽工艺设计，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(On)），这对于提升系统整体效率至关重要。其紧凑的PowerDI5060-8封装不仅提供了卓越的热性能，还实现了高功率密度下的表面贴装，满足了现代电子设备对空间和散热日益严苛的要求。

在电气特性方面，该MOSFET的突出优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，其最大值仅为1.7毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在90nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，从而实现更高频率的开关操作。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，连续漏极电流在环境温度下（Ta）为30A，在壳温下（Tc）可达100A，展现出强大的电流处理能力。

该器件的接口与参数设计充分考虑了实际应用的鲁棒性与便利性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的安全工作范围。驱动电压门槛较低，Vgs(th)最大值在250A漏极电流下仅为3V，确保了与低电压逻辑电路的兼容性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，配合PowerDI5060封装优异的散热特性（壳温下最大功率耗散达113W），使其能够在恶劣环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取该产品。

基于其优异的性能组合，DMT31M7LPS-13非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。它常见于同步整流、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）的功率开关部分。在计算设备、消费电子、工业控制及汽车辅助系统的电源管理模块中，该器件能够有效提升能效，减少解决方案的尺寸，是工程师实现高性能、紧凑型电源设计的理想选择。

• 型号:DMT31M7LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5741 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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