DMT32M5LFG-13

作为一款面向严苛应用环境设计的功率MOSFET，DMT32M5LFG-13采用了先进的N沟道技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的统一。该器件基于优化的沟槽栅极结构，有效降低了单位面积的导通电阻，从而在紧凑的封装内实现了高达30A的连续漏极电流处理能力。其金属氧化物半导体场效应晶体管技术确保了快速开关特性和稳定的栅极控制，为系统设计提供了坚实的物理基础。

该芯片的功能特点突出表现在其卓越的电气性能上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值低至1.7毫欧，这一关键参数直接决定了导通损耗的大小，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷Qg最大值仅为67.7nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全余量，增强了系统的鲁棒性。

在接口与参数方面，DIODES芯片代理提供的这款产品具备30V的漏源击穿电压，满足常见低压系统的需求。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V之间均可实现优异的导通特性。热性能方面，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，并采用PowerDI3333-8表面贴装封装，该封装具有良好的热导特性，有助于功率耗散，确保器件在2.3W的功耗下稳定运行。较低的输入电容进一步优化了高频下的动态性能。

凭借其符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，DMT32M5LFG-13非常适用于对可靠性和耐久性要求极高的汽车电子应用场景，如电机驱动、LED照明驱动、电池管理系统中的负载开关以及DC-DC转换器的同步整流等。其优异的能效比和紧凑的封装也使其成为空间受限的便携式设备、服务器电源和工业自动化设备中功率开关的理想选择。

• 型号:DMT32M5LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4066 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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