DMT35M7LFV-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT35M7LFV-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。该器件基于优化的沟槽栅工艺，有效降低了单元密度，从而在紧凑的封装内实现了卓越的电流处理能力与热性能。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该器件的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在36nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，特别适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。

在电气参数方面，DMT35M7LFV-13具备30V的漏源击穿电压（Vdss），在壳温（Tc）条件下可支持高达76A的连续漏极电流。其开启阈值电压Vgs(th)最大值为2.4V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。该器件采用表面贴装形式的PowerDI3333-8（UX类）封装，此封装结构紧凑，热阻低，有利于PCB布局的优化与散热管理，其最大功耗为1.98W（环境温度Ta条件下）。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商进行采购与咨询。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，此MOSFET非常适合用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流电路、电机驱动控制模块、各类电源管理单元中的负载开关，以及电池保护电路等。其稳健的性能使其成为现代紧凑型、高效率电源解决方案中的关键功率开关元件。

• 型号:DMT35M7LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):76A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1667 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.98W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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