DMT35M7LFV-7

作为Diodes Incorporated旗下的一款高性能功率MOSFET，DMT35M7LFV-7采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。该器件基于优化的沟槽栅结构，在紧凑的封装内实现了优异的电流处理能力与热性能平衡，为现代高密度电源设计提供了可靠的半导体解决方案。

该芯片的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在36nC，结合优化的内部结构，有效降低了开关过程中的能量损失，使其在高频开关应用中表现出色。其连续漏极电流(Id)在壳温条件下高达76A，并支持±20V的宽栅源电压范围，提供了稳健的驱动兼容性和过压保护能力。

在电气参数方面，DMT35M7LFV-7的漏源击穿电压(Vdss)为30V，适用于主流的中低电压总线场景。其阈值电压(Vgs(th))最大值为2.4V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。器件采用热增强型的PowerDI3333-8 (UX类)表面贴装封装，这种封装形式在提供出色散热性能的同时，极大节省了PCB板面积，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，满足严苛环境下的可靠性要求。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取产品与设计资源。

凭借其高电流密度、低损耗和优异的开关特性，该MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制电路、高电流负载开关以及各类便携式设备中的电源管理模块。它是工程师在追求高功率密度和高效能电源解决方案时的理想选择。

• 型号:DMT35M7LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):76A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1667 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.98W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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