DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装，专为要求高可靠性和高效率的汽车电子及工业应用而设计。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构优化了单元密度与沟道设计，在确保高电流处理能力的同时，实现了极低的导通损耗。

该MOSFET的显著优势在于其卓越的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V栅极驱动电压、50A漏极电流条件下，最大值仅为2.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其高电流承载能力同样突出，在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)为26A，而在管壳温度(Tc)条件下可达90A，展现出强大的功率处理潜力。器件支持宽泛的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，且栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，易于被主流控制器驱动，同时栅源电压(Vgs)可承受±20V，提供了良好的抗干扰鲁棒性。

在动态开关特性方面，DMT4004LPS-13通过优化内部结构，在10V Vgs条件下的栅极总电荷(Qg)最大值为82.2nC，结合20V Vds时最大4508pF的输入电容(Ciss)，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，特别适合高频开关应用。其坚固性还体现在宽工作结温范围（-55°C至150°C）和高功率耗散能力（管壳温度下最大138W）上。表面贴装的PowerDI5060-8封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也满足了现代电子设备对高功率密度设计的需求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关服务。

凭借40V的漏源击穿电压(Vdss)和符合汽车级AEC-Q101标准的品质，DMT4004LPS-13非常适合应用于对可靠性和效率有严苛要求的场景。其主要应用领域包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、电池管理系统的保护电路，以及工业电源中的DC-DC转换器、同步整流和功率OR-ing等。其优异的电气和热性能使其成为在紧凑空间内实现高功率、高效率电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMT4004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4508 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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