DMT4008LFV-13

作为一款面向现代高效功率管理应用的N沟道功率MOSFET，DMT4008LFV-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。该器件基于N通道设计，具备40V的漏源电压（Vdss）额定值，为低压开关应用提供了充足的电压裕量，确保了系统的可靠性。其优化的芯片设计与封装工艺，是实现高性能的基础。

该器件的显著优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和12A漏极电流（Id）条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为7.9毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在17.1nC @ 10V，结合1179pF @ 20V的输入电容（Ciss），意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，有助于降低开关损耗并简化驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

在电气参数与接口方面，DMT4008LFV-13提供了宽泛的工作条件。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下为12.1A，在管壳温度（Tc）下可达54.8A，展现了强大的电流处理能力。栅源电压（Vgs）支持±20V的最大值，提供了稳健的驱动兼容性。器件采用表面贴装型的PowerDI3333-8（UX类）封装，该封装具有优异的热性能，其最大功率耗散在管壳温度（Tc）下高达35.7W，结合-55°C至150°C的结温（TJ）工作范围，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取此产品。

基于其高效率、高电流能力与出色的热性能，DMT4008LFV-13非常适用于对空间和能效有严格要求的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类便携式设备、服务器和通信基础设施的电源管理模块。其设计平衡了性能、尺寸与可靠性，是工程师实现紧凑、高效功率解决方案的理想选择。

• 型号:DMT4008LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.1A（Ta），54.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.9 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1179 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），35.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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