DMT4011LSS-13

作为一款采用先进MOSFET技术制造的N沟道功率开关器件，DMT4011LSS-13在紧凑的8-SO表面贴装封装内实现了优异的电气性能平衡。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过优化的沟道与封装工艺，在确保高可靠性的同时，显著降低了导通损耗与开关损耗，为高效率电源转换提供了坚实的基础。

该器件具备40V的漏源击穿电压(Vdss)与10.8A的连续漏极电流(Id)处理能力，使其能够从容应对多种中低压、大电流的应用环境。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压下典型值极低，最大值仅为11.5毫欧@20A，这意味着在导通状态下产生的功率损耗非常小，有助于提升系统整体能效并简化散热设计。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为2.4V，且驱动电压范围宽（4.5V至10V可获得最小导通电阻），与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器具有良好的兼容性，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DMT4011LSS-13表现出色。其栅极总电荷(Qg)最大值仅为14.3nC @ 10V，结合829pF @ 20V的输入电容(Ciss)，共同决定了快速的开关速度，有助于降低开关过程中的过渡损耗，尤其适用于高频开关应用。器件允许的栅源电压(Vgs)范围为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原厂正品与技术资料。

凭借上述特性，该MOSFET非常适合应用于对效率和空间均有要求的场景。其主要应用方向包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关以及各类电池管理系统的功率路径管理。其表面贴装形式与稳健的性能参数，使其成为现代紧凑型消费电子、工业设备及通信模块中实现高效功率管理的理想选择。

• 型号:DMT4011LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:829 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.31W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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