DMT47M2LDV-13

作为一款高性能的功率MOSFET阵列，DMT47M2LDV-13集成了两个独立的N沟道MOSFET于一个紧凑的封装内。其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性。这种双MOSFET的集成设计不仅节省了宝贵的PCB空间，还通过优化内部布局降低了寄生电感，为高效率的功率转换和开关应用提供了坚实的基础。

该器件在电气性能上表现突出，其漏源击穿电压（Vdss）高达40V，能够稳定工作在多种中低压场景。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）可达11.9A，而在管壳温度（Tc）条件下更能支持高达30.2A的电流，展现了出色的电流承载能力。尤为关键的是，其在10V栅极驱动、20A电流条件下的导通电阻（RDS(on)）典型值仅为10.8毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，配合最大14nC的栅极电荷（Qg），确保了器件具备快速且易于驱动的开关性能，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与热管理方面，该芯片采用表面贴装的8-PowerVDFN封装，即PowerDI333，这是一种专为高功率密度应用优化的封装形式，具有优异的热性能。其最大功耗在环境温度（Ta）下为2.34W，而在管壳温度（Tc）下可达14.8W，这得益于封装本身良好的热传导路径。其输入电容（Ciss）在20V条件下最大为891pF，结合前述的低栅极电荷，共同保证了在高频开关应用中的响应速度。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取正品器件和技术支持。

凭借其双通道、高耐压、大电流和低导通电阻的组合优势，DMT47M2LDV-13非常适用于需要高功率密度和高效率的领域。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。在服务器电源、通信设备、电动工具和汽车电子等对空间和能效有严格要求的系统中，该器件能够有效提升功率级的性能与可靠性。

• 型号:DMT47M2LDV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
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