DMT47M2LDVQ-13

Diodes Incorporated推出的DMT47M2LDVQ-13是一款采用先进工艺制造的双N沟道功率MOSFET阵列，其核心设计旨在为现代电子系统提供高效、紧凑的功率开关解决方案。该器件采用优化的单元结构，在8-PowerVDFN封装内集成了两个性能一致的MOSFET通道，实现了高功率密度与小型化封装的结合，特别适合空间受限的汽车级应用环境。

该芯片的显著特性在于其优异的电气性能与可靠性。高达40V的漏源电压（Vdss）使其能够稳健地应对汽车电子中常见的负载突降等瞬态电压冲击。同时，其极低的导通电阻（RDS(on)），在10V栅极驱动电压、20A电流条件下典型值仅为10.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。配合14nC（@10V）的较低栅极电荷（Qg），器件可以实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升高频应用的性能。对于需要稳定供应的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取该产品及相关技术支持。

在接口与参数方面，DMT47M2LDVQ-13提供了灵活的驱动兼容性，其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为2.3V，便于与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器直接接口，简化了驱动电路设计。其热性能表现突出，在管壳温度（Tc）条件下可持续承受高达30.2A的漏极电流，最大功耗为14.8W，确保了在高负载下的稳定运行。器件符合AEC-Q101标准，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够满足汽车电子严苛的环境可靠性要求。

基于其双通道、高耐压、低损耗及车规级可靠性的特点，DMT47M2LDVQ-13非常适用于需要高效功率管理和分配的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵控）、LED照明驱动、DC-DC转换器中的同步整流或负载开关，以及各类工业控制板卡中的电源路径管理。其表面贴装型PowerDI333封装也为高密度PCB布局提供了便利。

• 型号:DMT47M2LDVQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
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