DMT47M2LDVQ-7

DMT47M2LDVQ-7是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级双N沟道功率MOSFET阵列，采用先进的PowerDI333封装。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，其核心架构基于优化的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。这种设计不仅提升了功率密度，还通过优化的内部布局有效降低了寄生参数，为高频率开关应用提供了坚实的基础。

该芯片的显著特性在于其卓越的电气性能。其漏源电压额定值为40V，能够满足多种车载及工业级电源系统的电压需求。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，其导通电阻典型值低至10.8毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC @ 10V，结合891pF @ 20V的输入电容，意味着其所需的驱动能量小，开关速度快，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，该器件提供了两种关键的电流额定值：在环境温度（Ta）下连续漏极电流为11.9A，而在管壳温度（Tc）下则可高达30.2A，这为不同散热条件下的应用提供了清晰的指导。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。该器件采用表面贴装型8-PowerVDFN封装，具有优异的热性能，其最大功耗在环境温度下为2.34W，在管壳温度下可达14.8W。对于需要稳定可靠供应链的客户，可以通过DIODES一级代理获取原厂技术支持与供货保障。

基于其车规级认证、高电流处理能力和快速开关特性，DMT47M2LDVQ-7非常适用于对可靠性和效率有严格要求的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、电池管理系统中的负载开关，以及工业电源中的DC-DC转换器同步整流和OR-ing功能。其双通道设计也使其成为空间受限但需要多路开关控制的紧凑型设计的理想选择。

• 型号:DMT47M2LDVQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
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