DMT47M2SFVW-13

DMT47M2SFVW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）架构，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。其N沟道结构确保了在正向导通时具有较低的载流子迁移损耗，而优化的栅极氧化层与沟道设计则为快速开关响应和稳定的电气特性奠定了基础。

该芯片在电气性能上表现突出，其漏源击穿电压（Vdss）高达40V，为中等电压应用提供了充足的裕量。导通电阻是其关键指标之一，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为7.5毫欧，这一极低的导通电阻直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在12.1nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，使其在频繁开关的应用中仍能保持优异的热性能。

在接口与参数方面，该器件支持最大±20V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其电流承载能力根据散热条件不同而有所区别，在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流为15.4A，而在管壳温度（Tc）下则可高达49.1A，这突显了其封装和内部结构出色的散热潜力。它采用表面贴装型的PowerDI3333-8（SWP）封装，这种紧凑的封装形式不仅节省了PCB空间，其优化的热设计也有利于功率耗散，最大结温（TJ）可达150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是推荐的渠道。

凭借其综合性能，DMT47M2SFVW-13非常适合应用于需要高效功率管理的场景。例如，在DC-DC转换器中，它可作为同步整流或主开关管，提升电源模块的转换效率；在电机驱动控制电路中，其快速开关特性和高电流能力能够实现对电机的高效、平稳驱动；此外，在电池保护板、负载开关以及各类便携式设备的电源分配系统中，它也能发挥关键作用，为系统提供可靠且高效的功率开关解决方案。

• 型号:DMT47M2SFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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