DMT47M2SFVW-7

作为一款采用先进PowerDI3333-8（SWP）UX类封装的高性能N沟道功率MOSFET，DMT47M2SFVW-7展现了Diodes Incorporated在功率半导体领域的设计实力。其核心架构基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，通过优化的芯片布局和先进的沟槽工艺，实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作，确保了其在严苛环境下的可靠性。

该器件的显著特性在于其卓越的导通效率。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至7.5毫欧（@20A），这一关键参数直接决定了导通状态下的功率损耗水平。极低的Rds(On)配合高达49.1A（Tc）的连续漏极电流能力，使其能够高效处理大电流负载，显著降低系统温升并提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为12.1nC（@10V），较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在电气参数方面，40V的漏源击穿电压（Vdss）使其适用于常见的12V、24V及以下的低压电源总线系统。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了充足的驱动裕量。输入电容（Ciss）在20V条件下最大值为897pF，结合低栅极电荷，共同优化了开关动态特性。用户在选择和采购时，可通过专业的DIODES芯片代理获取完整的技术支持与供应链服务。器件采用表面贴装型封装，便于自动化生产，其功率耗散能力在特定条件下可达27.1W（Tc），具备优秀的散热潜力。

凭借上述综合性能，DMT47M2SFVW-7非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。其主要应用方向包括直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流和开关管、电机驱动控制电路、锂电池保护与管理系统，以及各类负载开关和电源分配单元。其高电流处理能力和快速开关特性，使其成为提升现代消费电子、通信设备和工业电源模块性能的理想选择。

• 型号:DMT47M2SFVW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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