DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，专为在有限空间内实现高效率功率转换而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过降低栅极电荷和寄生电容，显著提升了开关性能，使其在同步整流、负载开关和电机控制等应用中表现出色。

该MOSFET具备50V的漏源击穿电压(Vdss)和9.1A的连续漏极电流(Id)能力，为中等功率应用提供了可靠的电压与电流裕量。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压(Vgs)和8A漏极电流条件下，Rds(ON)最大值仅为15毫欧，这直接降低了导通损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，并与4.5V/10V的驱动电压优化匹配，确保了在逻辑电平或标准驱动信号下的可靠开启与高效驱动。

在动态特性方面，DMT5015LFDF-13的栅极总电荷(Qg)在10V Vgs下最大值仅为14nC，结合902.7pF（在25V Vds下）的输入电容(Ciss)，共同构成了优异的开关性能基础，有助于降低开关损耗并允许更高频率的操作。其栅源电压可承受±16V，提供了较强的栅极可靠性。器件额定功率耗散为820mW，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取此型号产品。

得益于其表面贴装型封装和优异的电气参数，这款MOSFET非常适合用于空间受限的现代电子设备。其典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流开关、电源管理单元中的负载开关、电机驱动控制电路以及各类需要高效功率切换的便携式设备、计算设备和消费电子产品。其性能组合使其成为工程师在平衡效率、尺寸与成本时的优选功率开关解决方案。

• 型号:DMT5015LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:902.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:820mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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