DMT6004SCT

在功率开关应用领域，DMT6004SCT是一款由Diodes Incorporated设计的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能。其N沟道设计允许在正向导通时，通过施加在栅极的电压控制大电流的通断，是构建高效半桥或同步整流等拓扑的理想选择。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的导通电阻与电流处理能力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为3.65毫欧@100A，这一极低的电阻值直接转化为更低的传导损耗和发热，显著提升了系统的整体效率。同时，器件在壳温（Tc）条件下能够持续承受高达100A的漏极电流，并拥有60V的漏源击穿电压（Vdss），为48V及以下总线电压的工业与汽车应用提供了充足的电压裕量，确保了系统的可靠性。其栅极电荷（Qg）典型值控制在较低水平，有助于降低开关损耗并简化驱动电路的设计。

在电气参数与接口方面，DIODES一级代理提供的详细规格显示，DMT6004SCT的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，而最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，这为驱动电路的设计提供了灵活性和鲁棒性。其采用经典的TO-220-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，在配合适当散热器时，器件在壳温（Tc）下的最大功率耗散可达113W。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应严苛的环境，从工业控制到户外设备均可稳定运行。

基于其高电流、低导通电阻和坚固的封装特性，DMT6004SCT非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC电源模块中的同步整流和功率开关、电动工具及无人机电调（ESC）中的电机驱动控制、以及各类工业自动化设备中的负载开关和逆变器单元。在这些应用中，它能够有效管理功率流，提升能效，并凭借其高可靠性保障系统的长期稳定运行。

• 型号:DMT6004SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.65 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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