DMT6005LFG-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT6005LFG-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与信号放大。该器件基于成熟的平面工艺，通过优化单元结构和沟道设计，在保证高耐压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而有效减少了导通损耗和开关损耗，提升了整体能效。

在电气特性方面，该器件具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，为负载开关、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。其导通电阻表现尤为突出，在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为4.1毫欧，这意味着在导通状态下产生的热量极低，有助于提升系统可靠性。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够与主流微控制器和逻辑电平电路轻松兼容，简化了驱动电路设计。

器件的动态参数同样经过精心优化。在10V Vgs条件下，最大栅极总电荷(Qg)为48.7nC，结合3150pF的输入电容(Ciss)，共同决定了其快速的开关特性，有助于在高频开关电源中降低开关损耗。其电流处理能力强大，在壳温(Tc)条件下连续漏极电流(Id)可达100A，而在环境温度(Ta)下为18A，配合62.5W (Tc) 的最大功耗能力，使其能够胜任大电流应用。该MOSFET采用表面贴装的PowerDI3333-8封装，具有良好的散热性能和紧凑的占板面积，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其低导通电阻、高电流能力、快速开关以及宽工作温度范围等综合优势，DMT6005LFG-13非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载开关、电动工具和无人机的电机驱动控制、汽车辅助系统中的电源分配，以及各类工业电源模块。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及其完整的技术支持。

• 型号:DMT6005LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3150 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.98W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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