DMT6005LPS-13

作为一款符合AEC-Q101标准的车规级功率MOSFET，DMT6005LPS-13采用了先进的N沟道技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的平衡。该器件基于优化的MOSFET（金属氧化物）工艺，在紧凑的PowerDI5060-8封装内集成了高性能的功率开关单元，其设计重点在于降低导通损耗和优化开关特性，以满足严苛的汽车电子环境对热管理和电气性能的双重要求。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的电气参数上。其最大漏源电压（Vdss）为60V，能够从容应对汽车电源系统中常见的负载突降等瞬态高压。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值高达17.9A，而在结温（Tc）条件下更可支持100A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）极低，在10V驱动电压、50A电流条件下最大值仅为4.9毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在47.1nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与关键参数方面，DMT6005LPS-13的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为4.5V至10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了系统的鲁棒性。其输入电容（Ciss）在30V漏源电压下最大值为2962pF，是评估开关速度的重要参考。该器件采用表面贴装型封装，功率耗散能力在环境温度下为2.6W，在结温条件下可达125W，结合其宽广的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了在高温环境下稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES芯片代理获取此型号以确保产品正宗与供货稳定。

凭借其车规级的认证和高性能指标，DMT6005LPS-13非常适用于对可靠性和效率有严格要求的应用场景。它常被用作汽车领域中的负载开关、电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器中的同步整流或主开关，以及电池管理系统（BMS）中的保护开关。其低导通电阻和高电流能力使其在需要处理大电流的功率路径管理中表现出色，是工程师设计下一代高效、紧凑型汽车电子系统的理想选择。

• 型号:DMT6005LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.9A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2962 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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