DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的功率处理能力与热性能。其核心设计旨在通过优化单元密度和沟道结构，在较低的栅极驱动电压下获得极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提升系统整体效率。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)）与优异的开关性能平衡。在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，其最大导通电阻仅为6毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在41.3nC，有助于降低开关损耗，特别适合高频开关应用。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，且栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了良好的设计裕度和抗干扰能力。

在电气参数方面，DMT6007LFG-7具备60V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在常见24V或48V总线系统中的可靠工作。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下为15A，在管壳温度（Tc）下可达80A，展现了强大的电流处理能力。功率耗散能力在Tc条件下高达62.5W，结合低热阻的PowerDI3333封装，使其能够有效管理热量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原装正品和技术支持。

这款器件非常适合应用于对效率和空间均有高要求的场景，例如DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。其优异的FOM（品质因数，即Rds(on)*Qg）使其成为提升电源模块功率密度和效率的理想选择，能够帮助工程师设计出更紧凑、更高效的下一代电力电子系统。

• 型号:DMT6007LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购DMT6007LFG-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。