DMT6007LFGQ-13

DMT6007LFGQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。该器件专为在严苛的汽车电子环境中实现高效率、高可靠性的功率开关应用而设计，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了充足的电压裕量，增强了在负载突降等瞬态事件下的可靠性。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压(Vgs)和20A漏极电流(Id)条件下，典型值低至6毫欧，这一特性显著降低了功率导通状态下的损耗，对于提升系统效率至关重要。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为41.3nC，结合较低的输入电容(Ciss)，使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用，有助于减小外围磁性元件的尺寸。

在接口与参数方面，DIODES中国代理可提供全面的技术支持。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，最大可承受±20V的栅源电压，增强了设计的灵活性。其电流处理能力出色，在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)为15A，而在管壳温度(Tc)条件下可达80A，配合高达62.5W（Tc）的功率耗散能力，确保了强大的负载驱动和散热性能。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，完全满足汽车级应用对极端温度稳定性的要求。

基于其优异的电气性能和汽车级认证，DMT6007LFGQ-13非常适合应用于对可靠性和效率有严苛要求的领域。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器的同步整流或主开关、LED照明驱动以及各类负载开关与电源管理模块。其PowerDI3333封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，非常适合空间受限的现代汽车电子模块设计。

• 型号:DMT6007LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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