DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高功率密度和高效散热设计，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性平衡。其7.5mΩ（最大值，在Vgs=10V，Id=20A条件下）的导通电阻，配合优化的栅极电荷设计，显著降低了传导损耗和开关损耗，为高效率电源转换提供了硬件基础。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了宽裕的电压设计余量。其连续漏极电流在环境温度(Ta)下额定为13A，而在管壳温度(Tc)下可高达60A，展现了强大的电流处理能力。栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，且在4.5V的低栅压下即可实现良好的导通特性，阈值电压Vgs(th)最大值为2V，这使其兼容多种逻辑电平，易于驱动。其总栅极电荷(Qg)典型值较低，有助于提升开关频率并降低驱动电路的功耗。

在接口与热性能方面，DIODES代理可提供全面的技术支持。器件采用表面贴装型PowerDI3333封装，底部具有大面积裸露焊盘，极大优化了PCB布局的热传导路径，使其最大功耗在管壳温度(Tc)下可达41W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。输入电容(Ciss)等动态参数经过精心优化，有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡。

凭借其优异的电气与热性能，DMT6008LFG-13非常适用于对效率和空间有严格要求的中高功率应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。它在服务器电源、通信设备、工业自动化及消费类电子产品的电源管理模块中，都能作为关键功率开关元件，有效提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:DMT6008LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2713 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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