DMT6009LFG-13

作为一款高性能N沟道功率MOSFET，DMT6009LFG-13采用了先进的沟槽栅技术，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性。该器件在单芯片上集成了优化的单元结构，有效降低了栅极电荷和米勒电容，从而在保证高耐压能力的同时，显著提升了功率转换效率与开关频率的潜力，这对于现代高密度电源设计至关重要。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了稳健的电压裕量。其导通电阻在10V驱动电压下典型值仅为10毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，最大连续漏极电流在环境温度下可达11A，而在管壳温度下更能达到34A，展现了其出色的电流处理能力。栅极阈值电压最大值为2V，配合±16V的最大栅源电压，确保了与多种驱动电路的兼容性和应用的灵活性。

在动态参数方面，DMT6009LFG-13的栅极总电荷(Qg)最大值仅为33.5nC，结合1925pF的输入电容，共同决定了其快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并提升系统整体效率。器件采用PowerDI3333-8表面贴装封装，该封装具有优异的热性能，其最大结温高达150°C，在管壳温度下的最大功耗为19.2W，为紧凑型设计中的热管理提供了有力保障。用户可以通过官方DIODES代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其综合性能，该器件非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、锂电池保护与管理模块，以及各类便携式设备、消费电子和工业自动化设备中的功率管理单元。其可靠的性能与宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在多样化环境下的稳定运行。

• 型号:DMT6009LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.08W（Ta），19.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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