DMT6009LK3-13

作为一款面向高效功率转换与开关应用的N沟道功率MOSFET，DMT6009LK3-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现低导通损耗与快速开关特性的平衡。该器件基于N通道设计，具备60V的漏源电压（Vdss）额定值，为中等电压应用提供了可靠的安全裕度。其优化的芯片设计与TO-252（DPAK）封装工艺相结合，有效提升了热传导效率，确保在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作。

该器件的显著优势在于其卓越的导通性能，在10V驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至10毫欧（在13.5A条件下测量）。这一极低的Rds(On)特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33.5nC @ 10V，结合1925pF @ 30V的输入电容（Ciss），共同构成了快速的开关响应能力，有助于降低开关损耗并允许更高频率的操作，这对于现代开关电源和电机驱动设计至关重要。

在电气参数方面，Diodes Incorporated提供的这款MOSFET提供了灵活的电流承载能力，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为13.3A，而在借助散热器有效管理结温（Tc）的条件下，该值可高达57A，展现了强大的峰值处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V @ 250A，且栅源电压（Vgs）可承受±16V，确保了与广泛逻辑电平及驱动电路的兼容性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品，以确保原装正品和技术支持。

凭借其表面贴装型TO-252封装、优异的电气特性以及宽泛的工作温度范围，DMT6009LK3-13非常适合应用于对效率和功率密度有严格要求的场景。其主要应用领域包括直流-直流转换器中的同步整流和开关元件、电机驱动控制电路、电池保护板以及各类需要高效功率开关的工业与消费电子设备，为设计工程师提供了一个高性能、高可靠性的解决方案。

• 型号:DMT6009LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.3A（Ta），57A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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