DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。该器件基于优化的垂直沟道架构，旨在实现低导通电阻与高开关速度之间的平衡，其核心设计聚焦于提升功率转换效率和热管理性能，以满足现代高密度电源设计的需求。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了良好的电压裕量，适用于常见的12V、24V及48V总线系统。其导通电阻表现突出，在10V栅极驱动电压(Vgs)和20A漏极电流(Id)条件下，最大导通电阻(Rds(on))仅为7.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其既能兼容3.3V逻辑电平接口，也能在10V驱动下实现最优的导通性能。此外，其栅极电荷(Qg)最大值控制在41.3nC，结合2090pF的输入电容(Ciss)，有助于降低开关损耗，提升高频开关应用中的性能。

在电流处理能力方面，DMT6010LFG-7在环境温度(Ta)下连续漏极电流(Id)额定值为13A，而在管壳温度(Tc)下可高达30A，展现了强大的电流承载潜力。其最大功率耗散在管壳温度(Tc)下为41W，结合PowerDI3333封装优良的热性能，确保了器件在-55°C至150°C结温(TJ)范围内稳定工作。可靠的性能与供货保障可通过正规的DIODES授权代理渠道获得。

凭借其参数组合，该器件非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。其主要应用领域包括直流-直流转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类需要高效功率开关的负载点(POL)电源、适配器和工业电源模块。其表面贴装形式也顺应了自动化生产与小型化设计的趋势。

• 型号:DMT6010LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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