DMT6013LFDF-13

DMT6013LFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，专为高功率密度和高效能应用而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，实现了在极小封装尺寸下高达10A的连续漏极电流处理能力，同时维持了出色的热性能。

该MOSFET的关键特性在于其卓越的导通电阻性能，在10V驱动电压（Vgs）和8.5A漏极电流（Id）条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至15毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC @ 10V，结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。其漏源击穿电压（Vdss）为60V，提供了充足的电压裕量，确保在多种电源拓扑中的可靠运行。

在接口与参数方面，该器件设计用于标准逻辑电平驱动，其驱动电压范围覆盖4.5V至10V，便于与主流微控制器和驱动IC直接连接。其最大栅源电压（Vgs）为±20V，增强了抗栅极电压尖峰的能力。器件支持表面贴装（SMT）工艺，符合现代自动化生产要求。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合900mW的功率耗散能力，使其能在苛刻的环境下稳定工作。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的项目，通过DIODES一级代理进行采购是确保产品正品与供货稳定的有效途径。

基于其高性能参数，DMT6013LFDF-13非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制、电池管理系统（BMS）中的充放电控制，以及各类便携式设备、网络设备和消费电子产品的电源管理模块。其优异的开关特性也使其成为POL（负载点）转换器和低侧开关的理想选择。

• 型号:DMT6013LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1081 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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