DMT6015LFV-13

作为一款高性能N沟道功率MOSFET，DMT6015LFV-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件基于优化的单元结构，能够在高电流与高电压条件下维持稳定的性能，其沟道设计有效降低了载流子传输过程中的导通损耗，为电源管理应用提供了坚实的物理基础。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达60V，为各类中压应用场景提供了充裕的安全裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压(Vgs)和10A漏极电流(Id)条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至16毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其既能兼容低电压逻辑电平控制，也能在更高驱动电压下获得更优的导通性能。此外，栅极电荷(Qg)最大值仅为18.9nC，结合1103pF的输入电容(Ciss)，意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有利于实现高频开关操作并简化驱动电路设计。

在封装与可靠性层面，该芯片采用表面贴装型的PowerDI3333-8（UX类）封装，此封装形式具有良好的散热性能和紧凑的占板面积。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。功率处理能力方面，在壳温(Tc)条件下最大功耗可达30W，展现了其强大的热管理潜力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理获取原厂正品与专业服务。

凭借60V的耐压、高达35A（Tc）的连续电流能力以及优异的开关特性，DMT6015LFV-13非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类需要高效功率切换的工业与消费电子设备，是实现紧凑、高效电源解决方案的关键元器件之一。

• 型号:DMT6015LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1103 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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