DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种专为优化热性能和空间利用率而设计的紧凑型表面贴装封装，其低热阻特性确保了在紧凑空间内仍能有效散热，支持高达150°C的结温工作。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与开关特性。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至16毫欧@10A，这一低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用。其阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了在逻辑电平驱动下的可靠开启，同时具备良好的抗干扰能力。

在电气参数方面，该器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和10.6A的连续漏极电流（Id）能力，为各种中等功率应用提供了充足的电压和电流裕量。其栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了驱动的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）使其能够适应苛刻的环境条件。

凭借其综合性能，DMT6016LPS-13非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类便携式设备、网络通信设备的电源管理模块。其表面贴装形式也完全适配现代自动化贴装生产工艺。

• 型号:DMT6016LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.23W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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