DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的8引脚SO封装，其核心设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其内部结构经过优化，通过降低栅极电荷和导通电阻，有效减少了开关损耗和传导损耗，从而在开关电源、电机驱动等高频应用场景中表现出色。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压高达60V，确保了在多种中压应用中的可靠性与安全性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流可达9.2A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻极低，典型值在10V驱动电压、10A电流条件下仅为18毫欧，这直接转化为更低的功率损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压最大值为2.5V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的栅极驱动兼容性与抗干扰能力。

在动态参数方面，DIODES一级代理提供的详细规格书显示，DMT6016LSS-13的栅极总电荷Qg最大值仅为17nC，输入电容Ciss最大值为864pF。这些低电荷特性意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件的最大功耗为1.5W，结温工作范围宽广，从-55°C到150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。

综合其技术参数，DMT6016LSS-13非常适合用于DC-DC转换器、电机控制、电池保护电路以及各类负载开关等应用。其优异的性能组合使其成为工程师在追求高效率、高可靠性和小型化设计时的理想选择，能够有效提升终端产品的整体性能和市场竞争力。

• 型号:DMT6016LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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