DMT6017LFDF-13

作为一款高性能N沟道功率MOSFET，DMT6017LFDF-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关。该器件基于优化的沟槽工艺设计，显著降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中有效减少了导通损耗和开关损耗，提升了整体能效。其紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装不仅提供了优异的散热性能，还满足了现代高密度PCB布局的需求。

在功能特性方面，该MOSFET展现出卓越的电气性能。其漏源电压（Vdss）高达65V，确保了在多种电压环境下的稳定工作窗口。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）可达8.1A，提供了可观的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和6A电流条件下，最大值仅为18毫欧，这一低导通阻抗是实现低功耗、高效率运行的关键。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，而驱动电压范围覆盖4.5V至10V以获得最小Rds(On)，这使其能够兼容多种逻辑电平，并易于被微控制器或驱动IC直接控制。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值15.3nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值891pF @ 30V）共同作用，实现了快速的开关速度，进一步降低了开关过程中的能量损失。

该器件的接口与参数设计充分考虑了实际应用的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）最大可承受±16V，增强了抗电压尖峰的能力。在热管理方面，器件最大功率耗散为800mW（Ta），结合其DFN封装底部的散热焊盘，能够有效将热量传导至PCB。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

基于其综合性能，DMT6017LFDF-13非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类负载开关和电源管理单元。其表面贴装型封装和高性能参数组合，使其成为消费电子、工业控制、通信设备及汽车辅助系统中实现高效功率转换的理想选择。

• 型号:DMT6017LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:65 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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