DMT615MLFV-7

DMT615MLFV-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的制造工艺，在60V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的电气性能，为开关电源和电机控制等应用提供了可靠的半导体开关解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通损耗。在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至16毫欧。这一低Rds(On)特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15.5nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟得以有效控制，有利于在高频开关电路中提升性能并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，DMT615MLFV-7展现出宽泛的工作适应性。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了较强的抗栅极噪声能力。器件的电流处理能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流高达38A，而在环境温度（Ta）下为8.5A，这得益于其优化的封装热性能。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与标准逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。该器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理进行采购与咨询。

基于其综合性能，DMT615MLFV-7非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、锂离子电池保护电路以及各类负载开关。其表面贴装（SMT）形式和紧凑的PowerDI3333封装使其能够轻松集成到空间受限的现代消费电子、通信设备、计算机外围设备和便携式设备的电源管理模块中，是实现高能效、小型化设计的理想功率开关元件。

• 型号:DMT615MLFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta），38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1039 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.76W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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