DMT67M8LCG-13

DMT67M8LCG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8引脚DFN封装，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其沟槽栅极结构优化了载流子迁移路径，有效降低了单位面积的导通损耗，同时通过优化的单元密度设计，在保证高电流处理能力的同时，维持了较低的栅极电荷，这对于提升整体能效和开关频率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达60V，为中等电压应用提供了充足的裕量。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压(Vgs)下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至5.7毫欧(在20A条件下)，这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。此外，栅极总电荷(Qg)最大值仅为37.5nC，结合较低的输入电容(Ciss)，显著降低了开关过程中的驱动损耗，有利于实现高频、高效的功率转换。

在接口与参数方面，该器件定义了明确的电气边界。其连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定为16A，在管壳温度(Tc)下可达64.6A，展现了强大的峰值电流处理能力。栅源电压(Vgs)耐受范围为±20V，提供了可靠的栅极保护。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。该器件采用表面贴装型V-DFN3333-8（B类）封装，具有良好的散热性能和较小的PCB占位面积。如需获取官方技术支持和正品保障，建议通过DIODES授权代理进行采购。

凭借其优异的性能组合，DMT67M8LCG-13非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：同步整流电路、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。在服务器电源、通信设备、工业自动化以及便携式电子产品的电源系统中，该器件能够有效提升系统效率，减少散热设计压力，是实现紧凑、高效功率解决方案的理想选择。

• 型号:DMT67M8LCG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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