DMT67M8LCGQ-13

作为一款面向严苛应用环境的功率开关解决方案，DMT67M8LCGQ-13采用了先进的沟槽式MOSFET技术，其N沟道设计在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件基于经过验证的工艺平台，通过优化单元结构，显著降低了单位面积的导通电阻，从而在有限的芯片尺寸下实现了高电流处理能力。其内部架构旨在最小化寄生电容，这对于提升开关速度、降低开关损耗至关重要，使其在高频开关应用中表现出色。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，典型值仅为5.7毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压最大值为2.5V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其既能与标准逻辑电平兼容，又能通过提高驱动电压进一步降低导通电阻，为设计提供了灵活性。同时，较低的栅极电荷（Qg）最大值37.5nC意味着更快的开关速度和更低的驱动电路损耗，特别适合高频PWM控制应用。

在接口与参数方面，该器件提供了60V的漏源击穿电压（Vdss），确保了足够的电压裕量。其电流处理能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流为16A，而在管壳温度为25°C时，该值可高达64.6A，展现了其强大的散热潜力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并符合AEC-Q101标准，通过了汽车级可靠性认证，能够承受振动、高温和高湿等恶劣环境挑战。器件采用节省空间的8引脚DFN封装（V-DFN3333-8），具有良好的热性能，便于在空间受限的PCB布局中实现高功率密度设计。

凭借其高可靠性、高效率和高功率密度特性，DMT67M8LCGQ-13非常适用于需要稳健性能的汽车电子系统，如电机驱动（座椅、风扇、泵）、LED照明驱动、电池管理系统中的负载开关等。此外，在工业电源、DC-DC转换器、同步整流以及各类便携式设备的电源管理模块中，它也是提升整体能效的理想选择。对于寻求稳定供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品及相关设计资源。

• 型号:DMT67M8LCGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购DMT67M8LCGQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。