DMT67M8LPSW-13

DMT67M8LPSW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI 5x6封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡，通过优化的单元结构和沟道设计，有效降低了传导损耗和开关损耗，从而提升了整体能效。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，为其在常见的中压应用场景中提供了可靠的安全裕量。其导通电阻表现突出，在10V驱动电压(Vgs)和20A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为6.2mΩ，这直接转化为更低的导通压降和功率耗散。器件支持宽泛的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，且栅极阈值电压(Vgs(th))典型值较低，确保了与主流逻辑电平控制器和驱动IC的良好兼容性，同时其栅极电荷(Qg)最大值控制在37.5nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的负担。

在电气参数方面，DMT67M8LPSW-13的电流承载能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度(Ta)下连续漏极电流(Id)为17.3A，而在管壳温度(Tc)下则可高达82A，这突显了其优异的散热设计潜力。其最大功率耗散在Tc条件下可达62.5W。该器件采用表面贴装的PowerDI 5x6封装，此封装具有极低的热阻和紧凑的占板面积，非常适合高功率密度设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理进行采购。

凭借其综合性能，这款MOSFET非常适合要求高效率和高可靠性的功率转换应用。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、电动工具和无人机的电机驱动控制、以及各类工业电源中的负载开关和OR-ing功能。其低导通电阻和高电流能力使其成为优化系统效率、减小解决方案尺寸的理想选择。

• 型号:DMT67M8LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.3A（Ta），82A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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