DMT68M8LFV-13

作为一款高性能N沟道功率MOSFET，DMT68M8LFV-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件基于优化的单元结构，能够在紧凑的封装内提供极低的导通电阻，从而显著降低传导损耗。其栅极设计经过特别优化，确保了快速且稳定的开关特性，这对于高频开关应用至关重要，有助于提升整体系统的能效和响应速度。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为60V，为常见的24V或48V总线系统提供了充足的设计裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）高达54.1A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压和13.5A测试条件下，最大值仅为9.5毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC，结合较低的输入电容，有助于降低开关损耗和驱动电路的设计复杂度，使开关过程更为迅速、高效。

在接口与参数方面，DIODES授权代理提供的详细规格书显示，该器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为10V，同时兼容低至4.5V的逻辑电平驱动，为不同控制电路提供了灵活性。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，具备良好的噪声抑制能力。器件采用表面贴装型PowerDI3333-8（UX类）封装，这种封装形式具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其最大结温（TJ）可达150°C，在提供2.7W（环境温度）或41.7W（壳温）功率耗散能力的同时，确保了在严苛环境下的可靠运行。

基于其优异的性能组合，DMT68M8LFV-13非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。它常被用于同步整流、DC-DC转换器（特别是降压和升压拓扑）中的主开关或同步开关，能够有效提升电源模块的转换效率。此外，在电机驱动、电池保护电路、负载开关以及各类工业电源和计算设备（如服务器、显卡）的供电部分，该器件都能发挥其高电流、低损耗的优势，是实现紧凑、高效电源解决方案的关键组件。

• 型号:DMT68M8LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2078 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），41.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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