DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，集成于紧凑的8引脚SO封装内。该器件构建于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构之上，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其栅极结构经过优化，能够在较低的驱动电压下实现完全导通，这得益于其最大阈值电压Vgs(th)仅为2V @ 250A的特性，使得该器件与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器具有良好的兼容性，简化了驱动电路设计。

在电气性能方面，该MOSFET展现出显著的优势。其最大漏源电压（Vdss）为60V，能够满足多种中压应用场景的需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为9.8A，具备较强的电流处理能力。更为关键的是，其在10V栅源电压、13.5A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）最大值仅为12毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在33.5nC @ 10V，结合1925pF @ 30V的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗相对较低，有助于提升高频开关应用的性能。

该器件的接口与参数设计充分考虑了工业应用的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±16V，提供了足够的保护裕量。表面贴装的8-SO封装形式适合自动化生产，其工作结温范围宽广，为-55°C至150°C（TJ），确保了在严苛环境下的可靠运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过可靠的DIODES一级代理渠道，仍可获取库存或获得替代方案的技术支持。其最大功率耗散为1.25W（Ta），设计时需配合适当的散热措施以充分发挥其性能。

基于其60V/9.8A的额定值与优异的开关特性，DMT69M8LSS-13非常适用于需要高效功率转换和控制的领域。典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路、低压大电流的电源管理模块，以及各类电池保护与负载管理电路。其快速开关能力和低导通电阻使其在提升系统整体效率、减少热量产生方面具有重要价值。

• 型号:DMT69M8LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.8A 8SO T\\u0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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