DMT8008LPS-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT8008LPS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心设计旨在实现高效率的功率转换与开关控制。该器件构建于优化的半导体工艺之上，能够在高电压和大电流条件下保持稳定的性能，其结构设计有效降低了寄生参数，为高频开关应用提供了坚实的基础。其热设计和封装技术确保了在宽温度范围内的可靠运行，是要求严苛的功率管理应用的理想选择。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）高达80V，为各类离线式或直流总线应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达83A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）极低，在10V栅极驱动电压和14A漏极电流条件下，最大值仅为7.8mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.8V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，该MOSFET采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，具有优异的热性能和功率密度，适合高密度PCB布局。其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为41.2nC，输入电容（Ciss）在40V下最大值为2345pF，这些参数共同决定了开关速度与驱动功率需求，有助于工程师优化栅极驱动设计。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，功率耗散能力在壳温条件下可达83W，确保了在恶劣环境下的稳定工作。如需获取稳定的供货与技术支援，可以联系专业的DIODES代理。

基于其高性能规格，DMT8008LPS-13非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC电源模块、电机驱动与控制电路、锂电池保护与充放电管理，以及各类工业电源中的同步整流和负载开关。其低导通电阻和高电流能力使其成为替换传统方案、提升系统能效的关键元器件。

• 型号:DMT8008LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8mOhm @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2345 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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