DMT8008SPS-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT8008SPS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。该器件基于优化的单元结构，能够在高电流下保持稳定的电气特性，其80V的漏源电压（Vdss）额定值提供了充足的电压裕量，确保在多种应用环境中具备可靠的耐压能力。紧凑的PowerDI5060-8封装不仅实现了高功率密度，其表面贴装型设计也便于自动化生产，提升了系统集成的便捷性。

该器件的显著优势在于其卓越的导通电阻特性，在10V驱动电压（Vgs）及14A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为7.8mΩ。这一极低的Rds(On)值直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在34nC @ 10V，结合1950pF @ 40V的输入电容（Ciss），共同构成了优异的开关性能基础，有助于降低开关过程中的能量损耗并支持更高频率的开关操作。其驱动电压范围宽泛，在6V至10V间即可获得良好的导通特性，而栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了驱动的鲁棒性。

在电气参数方面，DMT8008SPS-13在壳温（Tc）条件下可支持高达83A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其功率耗散能力在壳温条件下达到83W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在严苛热环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应的设计团队，通过正规的DIODES代理商获取此产品，能够保障原厂正品与稳定的供货渠道。阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 1mA，提供了明确的导通门槛，有利于防止误触发并简化驱动电路设计。

凭借其高电流能力、低导通电阻和优异的开关特性，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动控制电路中的功率开关、以及各类工业电源中的负载开关和OR-ing功能。其稳健的性能和宽温度范围也使其成为汽车电子系统中辅助电源管理的潜在选择，满足现代电子设备对高性能功率开关元器件的普遍需求。

• 型号:DMT8008SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8mOhm @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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