DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高功率密度和高效散热设计，其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，能够在紧凑的占板面积内实现优异的电流处理能力和较低的开关损耗，是现代开关电源和电机驱动应用的理想选择。

该MOSFET具备80V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。其导通电阻（Rds(on)）在Vgs=10V、Id=12A的条件下典型值仅为16毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，器件支持高达±20V的栅源电压，增强了栅极驱动的鲁棒性。其栅极电荷（Qg）最大值仅为34nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，DMT8012LFG-7在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为9.5A，而在管壳温度（Tc）条件下可高达35A，展现了其强大的电流承载潜力。其阈值电压Vgs(th)最大值为3V @ 250A，确保了与标准逻辑电平或栅极驱动器的良好兼容性。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，功率耗散在Tc条件下最大可达30W，通过优化的封装设计确保了热量的有效导出。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能参数组合，该器件广泛应用于各类中压功率转换领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动与控制电路、电动工具、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的负载开关。其高效率和良好的热性能使其成为空间受限且对能效要求严苛的现代电子系统的关键组件。

• 型号:DMT8012LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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